High-speed flexible transistors and tunnel diodes and circuits based on them - SPP1796

Das Ziel des Projektes ist die Entwicklung neuer, elektronischer Hochfrequenz-Bauelemente für eine Integration in flexible Substrate, die in hochskalierbaren Prozessen hergestellt und als Komponenten in Schaltkreisen für die drahtlose Breitband-Kommunikation geeignet sind. Dies soll durch folgende Forschungsaktivitäten geschehen:

Synthese: Der Synthesepart konzentriert sich auf die Herstellung halbleitender Polymere (mit hohen Ladungsträgerbeweglichkeiten). Dabei werden mehrere Klassen von Polymermaterialien mit günstig liegenden Energieniveaus synthetisiert und getestet. Vielversprechende Materialien sollen im Hinblick auf Löslichkeit und Verarbeitungsbedingungen für die Anwendung in TFTs optimiert werden.

TFT: Für einige vielversprechende Materialien werden organische Hochfrequenz-p-Kanal-TFT-Bauelemente (typ. 1 μm) mit selbstausgerichteten, lithographisch strukturierten D / S-Elektrodenmit reduzierten parasitären Kapazitäten hergestellt und ihre Hochfrequenz-Eigenschaften charakterisiert. Komplementär dazu werden metalloxid-basierende Hochfrequenz-n-Kanal-TFTs mit planarer Device-Geometrie entwickelt. Zur Überwindung von Limits der planaren Geometrie werden Metalloxid-basierende Kurz-Kanal TFTs mit vertikalen Kanälen erforscht. Zur Abscheidung der Elektroden, Dielektrika und TFT Kanäle werden die besonderen Vorteile der homogenen und defektarmen Atomlagen-abscheidung (ALD) bei niederen Prozesstemperaturen genutzt. In vertikalen Metalloxid-TFTs erwarten wir, ein ft im Bereich von > 2GHz zu erreichen. Das Design und die Realisierung von Verstärkerschaltungen auf Basis von High-Speed-TFTs ist ein weiteres Thema in diesem Projekt.

Laufzeit:
01.10.2015 - 31.09.2018

Projektleiter:
Prof. Dr. T. Riedl
Prof. Dr. U Scherf

Budget: 366.200 €